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圖片僅供參考,請(qǐng)參考產(chǎn)品描述

  • PSMN1R0-30YLDX

  • 制造商:Nexperia USA Inc.
  • 批號(hào):19+
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  • PDF下載:pdf下載
  • 庫(kù)存數(shù)量:2000+

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詳細(xì)參數(shù)

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  • 系列-
  • 零件狀態(tài)有源
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))100A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同Id,Vgs 時(shí)的Rds On(最大值)1.02 毫歐 @ 25A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 2mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)(最大值)121.35nC @ 10V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值)8598pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)238W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝LFPAK56,Power-SO8
  • 封裝/外殼SC-100,SOT-669

其它信息

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